상변화 메모리(PCM)로서는 긴 여정이었지만, 간신히 목표가 보이기 시작했다.

ST마이크로일렉트로닉스와 인텔이 공동 설립한 메모리 합작 기업 뉴모닉스(Numonyx)가 마침내 PCM의 샘플 출하를 시작했다. PCM 칩의 상용 출하는 올해 안에 시작될 예정이다. 이 회사의 브라이언 해리슨 CEO가 3월31일(미국시간)에 열린 기자 회견에서 밝혔다.

해리슨 CEO는 “2008년 내 (PCM의) 발매 예정”이라며 “1~2년 후에는 광범위하게 시판한다”고 말했다.

뉴모닉스의 CEO가 기존의 샘플이나 머지않아 시작되는 상용 출하에 대해 말하는 것은 PCM에 매우 중요한 일이다. PCM는 오랫동안 “몇 년 후(에 발매된다)”고 말해져 왔기 때문이다.

애널리스트 리처드 도허티는 2001년에 “(PCM는) 2~3년 내에 플래시 메모리보다 싸질 수 있다”고 말했다. 또 그는 PCM이 2003년에 발매된다고 예상했었다.

인텔의 플래시 메모리 전문 과학자 스테판 라이는 지난 2002년 “(PCM의 개발은) 순조롭게 진행되고 있다”고 말했다.

인텔의 공동 설립자로 ‘무어의 법칙’의 발안자인 고든 무어는 1970년 9월28일에 발매된 잡지 ‘일렉트로닉스(Electronics)’에 게재된 기사에서 상변화 메모리의 1종인 오보닉스 통합 메모리(Ovonics Unified Memory)가 1970년대말에 발매될 것으로 예상했었다.

PCM 발매가 늦어진 주요 원인은 2가지 있다. 첫 번째는 PCM는 습득이 어려운 기술이라는 점이다. PCM 내에서는 소형 레이저가 기판상의 초소형(microscopic) 비트를 섭씨 150~600도까지 가열한다. 기판에는 콤팩트디스크(CD) 같은 소재가 사용되고 있다.

가열에 따라 비트는 용해하지만 냉각되면 응고해 2개의 결정 구조 중 하나가 된다. 어느 쪽의 결정 구조가 될지는 냉각 속도가 결정한다. 이러한 2개의 결정 구조는 전류에 다른 레벨의 저항을 나타낸다. 그리고 그러한 다른 레벨의 저항이 컴퓨터에 의해서 1이나 0으로 변환되며 데이터가 생성된다.

해리슨 CEO에 의하면 인텔과 ST는 함께 과거 몇 년간 그 소재의 제어에서 커다란 진보를 이뤄왔다.

두 번째 이유로는 플래시 메모리 제조업체들이 기술을 계속 개선하고 있기 때문이다. 지난 2001년에 플래시 메모리는 65나노미터 수준의 칩 설계에 벽에 부딪칠 것이라는 견해가 있었다. 그러나 오늘날 65나노미터 플래시 대량생산 및 45나노미터의 샘플도 실현되고 있다. 뉴모닉스는 32나노미터의 NOR형 메모리 샘플도 갖고 있다. 기존 기술이 유효한데도 갈아타는 이유는 무엇일까?

또 인텔과 ST는 과거 몇 년간 표준적인 칩 전용으로 개발된 제조 라인에서 PCM 칩을 생산하는 방법을 연구해 진전시켜 왔다. 이에 따라 PCM 출시에 장벽이 점차 없어지고 있다. @