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[지디넷코리아]인텔의 기술 전략 담당 이사인 파올로 가르기니는 그가 하는 것은 장기적인 연구라고 하면서 "10~15년 이후에 내가 생각한 아이디어가 제품에 적용된 것을 보면 매우 행복할 것"이라고 말했다. 그는 인텔 개발자 포럼에서 인터뷰를 주최했다.

45nm 공정으로 칩을 설계하는 일은 얼마나 진행됐나? 정확히 언제 결정되나?
한 가지만 답할 수 있다. 만약 공정의 교체주기를 2년으로 고집하고 2007년에 이루어지길 바란다면 지금쯤 필요한 기술이 80~85% 정도 진행됐어야 한다. 그래서 올해 여름에 모든 결정을 내려야 한다. 65nm 공정은 2005년 4분기에 공정이 적용됐고 우리는 2007년 4분기에 45nm 공정이 적용되길 바란다. 올해 말에 모든 것이 결정될 것이고 우리는 80% 정도 결정한 상태다.

앞으로도 드라이 리소그라피(dry lithography)를 계속 사용할 것인가? IBM은 최근 칩을 액체에 담그고 더 작은 크기로 그릴 수 있도록 빛을 굴절시키는 이머션 리소그라피(immersion lithography)를 사용한다고 발표했다.
알 수 없다. 우리는 드라이(dry), 웻(wet), DUV(Deep Ultraviolet)로도 충분하다. 우리는 세 가지 프로토타입을 전부 가지고 있다. 드라이로 32nm 공정까지 할 수 있을까? 아니면 이머션이 필요할까? 모른다. 2007년 말은 돼야 명확히 결정할 수 있고 아직 EUV(Extreme Ultraviolet)의 가능성도 열려있다. 먼저 올해 EUV 기계 두 대를 다른 기관의 연구원에게 보낼 것이고, 그 기계는 시간당 10장의 웨이퍼를 만들게 될 것이다. 기계가 잘 작동하고 공급할 제조사가 있고 타산이 맞으면 EUV를 사용할 것이다. 32nm 공정의 대부분은 DUV와 약간의 EUV로 이뤄질 것이다. 확실한 것은 22nm 공정에서 DUV를 사용할 수 없다.

MEMS(Micro Electro Mechanical Systems) 제품은 얼마나 기다려야 하나?
MEMS는 우리가 과거에 만들 수 없었던 센서 같은 것을 만드는 것으로 매우 흥미롭다. 한 가지 문제가 있는데 크기가 너무 작다. MEMS는 자동차 시장에서 가장 성공했는데 자동차 모델의 수로 나누고 15명으로 또 나누면 일 년에 6000만 개 정도 된다. 아직 큰 가치가 없다. 아마 사람들이 기대하는 것보다 훨씬 더 오래 걸릴 것이다. 무선 시장에서는 나노기술로 감응할 수 있는 안테나의 배열을 만드는 것으로 성공할 가능성이 많다. 5년 안에 훨씬 더 주목받게 될 것이다.

탄소 나노튜브는 어떤가?
2001년부터 2002년까지 우리가 연구실에서 생산한 탄소 나노튜브의 70%는 반도체와 관련된 일에 쓰였고 지금은 90%에 이른다. 2012년과 2015년 사이에 탄소 나노튜브 반도체를 생산할 것으로 계획하고 있다. 이것은 크게 성공하지 못할지도 모르지만 계획하고 있다.

칩을 여러 개 쌓으면 열 문제가 있을 것 같은데?
쌓는 방법에서는 확실하게 전력 손실을 제어해야 한다. 큰 문제없이 5개에서 8개 혹은 10개의 패키지를 어디든지 쌓을 수 있다. 예를 들어, 대부분의 모바일기기는 NVRAM과 RAM이 쌓여 있어서 마이크로컨트롤러를 사용한다. 제일 위쪽에 있는 것은 매우 얇고 열을 방출하기 쉽다. 우리는 아래로 열을 방출하는 법을 연구하고 있다. 우리는 2개로 시작해서 이 문제를 연구할 것이고 점차 늘려나갈 것이다.

실리콘의 한계에 도달하면 어떻게 할 것인가?
지난 30년 동안 우리는 실리콘의 집적도를 높여서 사용해 왔다. 실리콘은 두 가지 장점이 있는데 하나는 매우 안정적이라 1mm 두께로 만들면 웨이퍼도 구부러지지 않고 또하나 전기로 표면의 이산화규소를 증가시킬 수 있다. 절연체로 컴포넌트를 분리시켜 이산화규소층은 1.2nm 두께로 제조돼, 단지 4, 5개의 원자로 실리콘과 폴리실리콘 게이트가 잘 구분된다.

우리는 3, 2, 1, 0개의 원자를 이용할 수 없다. 트랜지스터의 집적도를 높인 것이기 때문에 전자가 한 결정격자(crystal lattice)에서 다른 결정격자로 얼마나 쉽게 이동하는지에 대한 척도인 이동성(mobility)은 증가한다. 진기용량과 이동성이 성능을 결정한다. 우리는 집적도를 높이기 위해서 전기용량에 집중해 왔지만 지금 우리는 이동성에 관심을 두고 있다.

스트레인드 실리콘은 2배까지 이동성을 가속시키지만 실리콘의 한계에 도달했다. 이동성을 무엇으로 높일 것인가? 높은 이동성을 갖는 반도체가 적어도 6, 7개 정도 있다. 어떻게 만들 것인가? 현재는 그런 웨이퍼를 만들 수 없다. 우리가 할 수 있는 것은 실리콘 위에 다양한 재료를 사용하는 것이다. 여러 가지 원소가 섞인 III/V 웨이퍼를 만들 수 없지만 웨이퍼 위에 재료를 사용할 수 있다. 우리는 산재한 실리콘을 다른 반도체로 대체는 새로운 세계에 있다. 2010년대 후반을 기대해 달라.@